Large area SiC substrates and epitaxial layers for high...

Superlattices and Microstructures 2006 Vol. 40; Iss. 4-6

Large area SiC substrates and epitaxial layers for high power semiconductor devices — An industrial perspective

St.G. Müller, M.F. Brady, A.A. Burk, H.McD. Hobgood, J.R. Jenny, R.T. Leonard, D.P. Malta, A.R. Powell, J.J. Sumakeris, V.F. Tsvetkov, C.H. Carter Jr.
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Volume:
40
Année:
2006
Langue:
english
Pages:
6
DOI:
10.1016/j.spmi.2006.09.029
Fichier:
PDF, 841 KB
english, 2006
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