Effects of N2O Anneal on Channel Mobility of 4H-SiC MOSFET...

Materials Science Forum 2005 Vol. 483-485

Effects of N2O Anneal on Channel Mobility of 4H-SiC MOSFET and Gate Oxide Reliability

Fujihira, Keiko, Tarui, Yoichiro, Ohtsuka, Ken Ichi, Imaizumi, Masayuki, Takami, Tetsuya
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Volume:
483-485
Année:
2005
Langue:
english
Journal:
Materials Science Forum
DOI:
10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.697
Fichier:
PDF, 238 KB
english, 2005
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