Recent Progress in SiC Epitaxial Growth and Device...

Materials Science Forum 2001 Vol. 353-356

Recent Progress in SiC Epitaxial Growth and Device Processing Technology

Kimoto, Tsunenobu, Yano, Hiroshi, Tamura, S., Miyamoto, Nao, Fujihira, Keiko, Negoro, Yuki, Matsunami, Hiroyuki
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Volume:
353-356
Année:
2001
Journal:
Materials Science Forum
DOI:
10.4028/www.scientific.net/MSF.353-356.543
Fichier:
PDF, 455 KB
2001
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