Growth and Characterisation of Heavily Al-Doped 4H-SiC...

Materials Science Forum 2004 Vol. 457-460

Growth and Characterisation of Heavily Al-Doped 4H-SiC Layers Grown by VLS in an Al-Si Melt

Jacquier, Christophe, Ferro, Gabriel, Balloud, Carole, Zielinski, Marcin, Camassel, Jean, Polychroniadis, E.K., Stoemenos, J., Cauwet, François, Monteil, Yves
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Volume:
457-460
Année:
2004
Langue:
english
Journal:
Materials Science Forum
DOI:
10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.735
Fichier:
PDF, 817 KB
english, 2004
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