Growth of Few Graphene Layers on 6H, 4H and 3C-SiC...

Materials Science Forum 2009 Vol. 615-617

Growth of Few Graphene Layers on 6H, 4H and 3C-SiC Substrates

Camara, Nicolas, Huntzinger, J.R., Tiberj, Antoine, Rius, G., Jouault, B., Pérez-Murano, Francesco, Mestres, Narcis, Godignon, Phillippe, Camassel, Jean
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Volume:
615-617
Année:
2009
Langue:
english
Journal:
Materials Science Forum
DOI:
10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.203
Fichier:
PDF, 2.82 MB
english, 2009
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