A Study of the Shallow Electron Traps at the 4H-SiC/SiO2...

A Study of the Shallow Electron Traps at the 4H-SiC/SiO2 Interface

Ólafsson, H.Ö., Sveinbjörnsson, Einar Ö., Rudenko, T.E., Kilchytska, V.I., Tyagulski, I.P., Osiyuk, I.N.

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Volume:

433-436

Année:

2003

Langue:

english

Journal:

Materials Science Forum

DOI:

10.4028/www.scientific.net/MSF.433-436.547

Fichier:

PDF, 230 KB

english, 2003

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