Design of GeSn-Based Heterojunction-Enhanced N-Channel...

IEEE Transactions on Electron Devices 2015 / 4 Vol. 62; Iss. 4

Design of GeSn-Based Heterojunction-Enhanced N-Channel Tunneling FET With Improved Subthreshold Swing and ON-State Current

Liu, Mingshan, Liu, Yan, Wang, Hongjuan, Zhang, Qingfang, Zhang, Chunfu, Hu, Shengdong, Hao, Yue, Han, Genquan
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Volume:
62
Langue:
english
Journal:
IEEE Transactions on Electron Devices
DOI:
10.1109/ted.2015.2403571
Date:
April, 2015
Fichier:
PDF, 2.67 MB
english, 2015
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