Nonvolatile memory transistors using solution-processed...

Organic Electronics 2010 Vol. 11; Iss. 11

Nonvolatile memory transistors using solution-processed zinc–tin oxide and ferroelectric poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)

Sung-Min Yoon, Soon-Won Jung, Shin-Hyuk Yang, Chun-Won Byun, Chi-Sun Hwang, Sang-Hee Ko Park, Hiroshi Ishiwara
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Volume:
11
Année:
2010
Langue:
english
Pages:
7
DOI:
10.1016/j.orgel.2010.08.002
Fichier:
PDF, 1.22 MB
english, 2010
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