Characterization of GaN MOS Structures Using...

MRS Proceedings 2000 / 1 Vol. 639

Characterization of GaN MOS Structures Using Photoanodically Grown Oxides with Respect to FET Devices

Mistele, D., Rotter, T., Ferretti, R., Fedler, F., Klausing, H., Semchinova, O.K., Stemmer, J., Aderhold, J., Graul, J.
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Volume:
639
Langue:
english
Journal:
MRS Proceedings
DOI:
10.1557/proc-639-g11.42
Date:
January, 2000
Fichier:
PDF, 149 KB
english, 2000
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