Micro Defect Size in Si Single Crystal Grown by Czochralski...

Japanese Journal of Applied Physics 2010 / 12 Vol. 49; Iss. 12

Micro Defect Size in Si Single Crystal Grown by Czochralski Method

Moon, Byeong-Sam, Sim, Bok-Cheol, Park, Jea-Gun
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Volume:
49
Langue:
english
Journal:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.1143/jjap.49.121301
Date:
December, 2010
Fichier:
PDF, 1.12 MB
english, 2010
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