Aluminum oxide tunnel barriers for single electron memory...

Microelectronics Journal 2005 Vol. 36; Iss. 3-6

Aluminum oxide tunnel barriers for single electron memory devices

Kameshwar K. Yadavalli, Alexei O. Orlov, Gregory L. Snider, Jeffrey Elam
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Volume:
36
Année:
2005
Langue:
english
Pages:
5
DOI:
10.1016/j.mejo.2005.02.024
Fichier:
PDF, 164 KB
english, 2005
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