Surface activation using oxygen and nitrogen radical for...

Microelectronic Engineering 2011 Vol. 88; Iss. 4

Surface activation using oxygen and nitrogen radical for Ge–Si Avalanche photodiode integration

Ki Yeol Byun, Isabelle Ferain, John Hayes, Ran Yu, Farzan Gity, Cindy Colinge
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Volume:
88
Année:
2011
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1016/j.mee.2010.09.005
Fichier:
PDF, 619 KB
english, 2011
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