Stress evolution during Ni–Si compound formation for fully...

Microelectronic Engineering 2007 Vol. 84; Iss. 11

Stress evolution during Ni–Si compound formation for fully silicided (FUSI) gates

C. Torregiani, C. Van Bockstael, C. Detavernier, C. Lavoie, A. Lauwers, K. Maex, J.A. Kittl
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Volume:
84
Année:
2007
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1016/j.mee.2007.05.054
Fichier:
PDF, 367 KB
english, 2007
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