Development of new resist materials for 193-nm dry and...

Microelectronic Engineering 2006 Vol. 83; Iss. 4-9

Development of new resist materials for 193-nm dry and immersion lithography

Yoko Takebe, Takashi Sasaki, Naoko Shirota, Osamu Yokokoji
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Volume:
83
Année:
2006
Langue:
english
Pages:
3
DOI:
10.1016/j.mee.2006.01.024
Fichier:
PDF, 104 KB
english, 2006
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