Low-Resistance Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heterostructure...

Japanese Journal of Applied Physics 2000 / 7 Vol. 39; Iss. Part 1, No

Low-Resistance Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heterostructure Using Si/Ti/Al/Cu/Au Multilayer Metal Scheme

Youn, Chang-Joo, Kang, Kwang-Yong
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Volume:
39
Langue:
english
Journal:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.1143/JJAP.39.3955
Date:
July, 2000
Fichier:
PDF, 239 KB
english, 2000
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