Electroforming and resistive switching in silicon dioxide...

RSC Advances 2015 Vol. 5; Iss. 27

Electroforming and resistive switching in silicon dioxide resistive memory devices

Fowler, Burt W., Chang, Yao-Feng, Zhou, Fei, Wang, Yanzhen, Chen, Pai-Yu, Xue, Fei, Chen, Yen-Ting, Bringhurst, Brad, Pozder, Scott, Lee, Jack C.
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Volume:
5
Année:
2015
Langue:
english
Journal:
RSC Adv.
DOI:
10.1039/C4RA16078A
Fichier:
PDF, 2.85 MB
english, 2015
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