1.3-1.5-µm-Wavelength GaAs/InAs Superlattice Quantum-Dot...

Japanese Journal of Applied Physics 2004 / 6 Vol. 43; Iss. No. 7A

1.3-1.5-µm-Wavelength GaAs/InAs Superlattice Quantum-Dot Light-Emitting Diodes Grown on InP (411)A Substrates

Mori, Jun, Nakano, Tomonori, Shimada, Takashi, Hasegawa, Shigehiko, Asahi, Hajime
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Volume:
43
Langue:
english
Journal:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.1143/jjap.43.l901
Date:
June, 2004
Fichier:
PDF, 232 KB
english, 2004
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