Recovery of (411)A Superflat Interfaces in GaAs/Al...

Japanese Journal of Applied Physics 1999 / 8 Vol. 38; Iss. Part 1, No

Recovery of (411)A Superflat Interfaces in GaAs/Al 0.3 Ga 0.7 As Quantum Wells Grown on (411)A GaAs Substrate by Molecular Beam Epitaxy

Shinohara, Keisuke, Shimizu, Yasuyuki, Shimomura, Satoshi, Hiyamizu, andSatoshi
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Volume:
38
Langue:
english
Journal:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.1143/jjap.38.4715
Date:
August, 1999
Fichier:
PDF, 247 KB
english, 1999
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