The Development of a Highly Selective...

Japanese Journal of Applied Physics 1997 / 6 Vol. 36; Iss. Part 1, No

The Development of a Highly Selective K I / I 2 / H 2O / H 2S O 4 Etchant for the Selective Etching of A l 0.3G a 0.7 As over GaAs

Lau, Wai Shing, Chor, Eng Fong, Kek, Soon Poh, Aziz, Wan Hamzah bin Abdul, Lim, Hui Chin, Heng, Chun Huat, Zhao, Rong
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Volume:
36
Journal:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.1143/JJAP.36.3770
Date:
June, 1997
Fichier:
PDF, 869 KB
1997
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