Polarity inversion and growth mechanism of AlN layer grown...

Polarity inversion and growth mechanism of AlN layer grown on nitrided sapphire substrate using Ga-Al liquid-phase epitaxy

Adachi, Masayoshi, Takasugi, Mari, Sugiyama, Masashi, Iida, Junji, Tanaka, Akikazu, Fukuyama, Hiroyuki
Avez-vous aimé ce livre?
Quelle est la qualité du fichier téléchargé?
Veuillez télécharger le livre pour apprécier sa qualité
Quelle est la qualité des fichiers téléchargés?
Volume:
252
Langue:
english
Journal:
physica status solidi (b)
DOI:
10.1002/pssb.201451426
Date:
April, 2015
Fichier:
PDF, 652 KB
english, 2015
La conversion en est effectuée
La conversion en a échoué