Development of GaAs-based MOSFET using molecular beam...

Journal of Crystal Growth 2007 Vol. 301-302; Iss. none

Development of GaAs-based MOSFET using molecular beam epitaxy

Ravi Droopad, Karthik Rajagopalan, Jon Abrokwah, Liz Adams, Nate England, Dave Uebelhoer, Peter Fejes, Peter Zurcher, Matthias Passlack
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Volume:
301-302
Année:
2007
Langue:
english
Pages:
6
DOI:
10.1016/j.jcrysgro.2006.11.190
Fichier:
PDF, 541 KB
english, 2007
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