Epitaxial growth of 4H–SiC at low temperatures using CH3Cl...

Journal of Crystal Growth 2006 Vol. 294; Iss. 2

Epitaxial growth of 4H–SiC at low temperatures using CH3Cl carbon gas precursor: Growth rate, surface morphology, and influence of gas phase nucleation

Yaroslav Koshka, Huang-De Lin, Galyna Melnychuk, Colin Wood
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Volume:
294
Année:
2006
Langue:
english
Pages:
8
DOI:
10.1016/j.jcrysgro.2006.06.024
Fichier:
PDF, 349 KB
english, 2006
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