GaN growth process using GaP(1 1 1)A and...

Journal of Crystal Growth 2005 Vol. 275; Iss. 1-2

GaN growth process using GaP(1 1 1)A and (1 1 1)B surfaces as an initial substrate

Yuriko Matsuo, Nobuhiko Kawaguchi, Marie Fujino, Yoshihiro Kangawa, Yoshinao Kumagai, Toshiharu Irisawa, Akinori Koukitu
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Volume:
275
Année:
2005
Langue:
english
Pages:
1
DOI:
10.1016/j.jcrysgro.2004.11.215
Fichier:
PDF, 286 KB
english, 2005
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