Direct growth of GaAs-based structures on exactly...

Journal of Crystal Growth 2004 Vol. 265; Iss. 1-2

Direct growth of GaAs-based structures on exactly (0 0 1)-oriented Ge/Si virtual substrates: reduction of the structural defect density and observation of electroluminescence at room temperature under CW electrical injection

Y. Chriqui, L. Largeau, G. Patriarche, G. Saint-Girons, S. Bouchoule, I. Sagnes, D. Bensahel, Y. Campidelli, O. Kermarrec
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Volume:
265
Année:
2004
Langue:
english
Pages:
7
DOI:
10.1016/j.jcrysgro.2004.01.038
Fichier:
PDF, 347 KB
english, 2004
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