Design of Trench Gate GaN Power MOSFET using Al...

Journal of Physics Conference Series 2012 / 03 Vol. 352

Design of Trench Gate GaN Power MOSFET using Al 2 O 3 Gate Oxide

Kang, Ey Goo, Kim, Yong Tae
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Volume:
352
Langue:
english
Journal:
Journal of Physics: Conference Series
DOI:
10.1088/1742-6596/352/1/012025
Date:
March, 2012
Fichier:
PDF, 831 KB
english, 2012
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