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[IEEE 2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - Baltimore, MD, USA (2009.12.7-2009.12.9)] 2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - Understanding of strain effects on high-field carrier velocity in (100) and (110) CMOSFETs under quasi-ballistic transport

Saitoh, Masumi, Nobuaki Yasutake,, Yukio Nakabayashi,, Uchida, Ken, Toshinori Numata,
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Année:
2009
Langue:
english
DOI:
10.1109/iedm.2009.5424318
Fichier:
PDF, 387 KB
english, 2009
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