Growth mechanism of GaAs by metalorganic vapor phase...

Applied Physics Letters 1994 Vol. 64; Iss. 16

Growth mechanism of GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy

Hsu, C. C., Xu, J. B., Wilson, I. H.
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Volume:
64
Année:
1994
Langue:
english
Journal:
Applied Physics Letters
DOI:
10.1063/1.111697
Fichier:
PDF, 656 KB
english, 1994
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