Mechanisms of silicon nitride etching by electron cyclotron...

Journal of Vacuum Science & Technology A Vacuum Surfaces and Films 2004 Vol. 22; Iss. 4

Mechanisms of silicon nitride etching by electron cyclotron resonance plasmas using SF[sub 6]- and NF[sub 3]-based gas mixtures

Reyes-Betanzo, C., Moshkalyov, S. A., Ramos, A. C. S., Swart, J. W.
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Volume:
22
Année:
2004
Langue:
english
Journal:
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films
DOI:
10.1116/1.1701858
Fichier:
PDF, 378 KB
english, 2004
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