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[IEEE IC's (ISPSD) - Barcelona, Spain (2009.06.14-2009.06.18)] 2009 21st International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's - A novel double-gate Trench Insulated Gate Bipolar transistor with ultra-low on-state voltage

Wesley Chih-Wei Hsu,, Udrea, Florin, Ho-Tai Chen,, Wei-Chieh Lin,
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Année:
2009
Langue:
english
DOI:
10.1109/ispsd.2009.5158059
Fichier:
PDF, 662 KB
english, 2009
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