Poisoning of magnetism in silicon doped with Re, caused by...

Poisoning of magnetism in silicon doped with Re, caused by a charge transfer from interstitials to substitutionals, by means of the self-interaction corrected density-functional approach

Wierzbowska, Małgorzata
Avez-vous aimé ce livre?
Quelle est la qualité du fichier téléchargé?
Veuillez télécharger le livre pour apprécier sa qualité
Quelle est la qualité des fichiers téléchargés?
Volume:
112
Année:
2012
Langue:
english
Journal:
Journal of Applied Physics
DOI:
10.1063/1.4734000
Fichier:
PDF, 681 KB
english, 2012
La conversion en est effectuée
La conversion en a échoué