Impact of thermal annealing on deep-level defects in...

Journal of Applied Physics 2008 Vol. 103; Iss. 10

Impact of thermal annealing on deep-level defects in strained-Si∕SiGe heterostructure

Zhang, Renhua, Rozgonyi, George A., Yakimov, Eugene, Yarykin, Nikolai, Seacrist, Mike
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Volume:
103
Année:
2008
Langue:
english
Journal:
Journal of Applied Physics
DOI:
10.1063/1.2930998
Fichier:
PDF, 688 KB
english, 2008
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