Migration-enhanced epitaxial growth of GaAs on Si using...

Migration-enhanced epitaxial growth of GaAs on Si using (GaAs)1−x(Si2)x/GaAs strained-layer superlattice buffer layers

Sudersena Rao, T.
Avez-vous aimé ce livre?
Quelle est la qualité du fichier téléchargé?
Veuillez télécharger le livre pour apprécier sa qualité
Quelle est la qualité des fichiers téléchargés?
Volume:
11
Langue:
english
Journal:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures
DOI:
10.1116/1.586754
Date:
May, 1993
Fichier:
PDF, 768 KB
english, 1993
La conversion en est effectuée
La conversion en a échoué