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[IEEE 2007 International Semiconductor Device Research Symposium - College Park, MD, USA (2007.12.12-2007.12.14)] 2007 International Semiconductor Device Research Symposium - NEMS switch with 30 nm thick beam and 20 nm high air gap for high density non-volatile memory applications

Min-Sang Kim,, Weon Wi Jang,, Ji-Myoung Lee,, Sung-Min Kim,, Eun-Jung Yun,, Keun-Hwi Cho,, Sung-Young Lee,, In-Hyuk Choi,, Yong,, Jun-Bo Yoon,, Dong-Won Kim,, Donggun Park,
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Année:
2007
Langue:
english
DOI:
10.1109/isdrs.2007.4422470
Fichier:
PDF, 481 KB
english, 2007
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