Influence of CH4 flow rate on properties of HF-PECVD a-SiC...

Current Applied Physics 2011 Vol. 11; Iss. 1-supp-S

Influence of CH4 flow rate on properties of HF-PECVD a-SiC films and solar cell application

Shui-Yang Lien, Ko-Wei Weng, Jung-Jie Huang, Chia-Hsun Hsu, Chau-Te Shen, Chao-Chun Wang, Yang-Shih Lin, Dong-Sing Wuu, Der-Chin Wu
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Volume:
11
Année:
2011
Langue:
english
Pages:
1
DOI:
10.1016/j.cap.2010.11.009
Fichier:
PDF, 669 KB
english, 2011
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