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[IEEE 2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - Washington, DC, USA (2013.12.9-2013.12.11)] 2013 IEEE International Electron Devices Meeting - New observations on complex RTN in scaled high-κ/metal-gate MOSFETs — The role of defect coupling under DC/AC condition

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Année:
2013
Langue:
english
DOI:
10.1109/iedm.2013.6724731
Fichier:
PDF, 1.62 MB
english, 2013
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