Cell design modifications to harden an N-channel power IGBT...

IEEE Transactions on Nuclear Science 1999 / Dec. Vol. 46; Iss. 6

Cell design modifications to harden an N-channel power IGBT against single event latchup

Lorfevre, E., Sagnes, B., Bruguier, G., Palau, J.M., Gasiot, J., Calvet, M.C., Ecoffet, R.
Avez-vous aimé ce livre?
Quelle est la qualité du fichier téléchargé?
Veuillez télécharger le livre pour apprécier sa qualité
Quelle est la qualité des fichiers téléchargés?
Volume:
46
Langue:
english
Journal:
IEEE Transactions on Nuclear Science
DOI:
10.1109/23.819100
Date:
January, 1999
Fichier:
PDF, 310 KB
english, 1999
La conversion en est effectuée
La conversion en a échoué