The effect of boron diffusions on the defect density and...

Applied Physics Letters 2008 Vol. 92; Iss. 12

The effect of boron diffusions on the defect density and recombination at the (111) silicon-silicon oxide interface

Jin, H., Jellett, W. E., Chun, Z., Weber, K. J., Blakers, A. W., Smith, P. J.
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Volume:
92
Année:
2008
Langue:
english
Journal:
Applied Physics Letters
DOI:
10.1063/1.2903698
Fichier:
PDF, 260 KB
english, 2008
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