Identifying and quantifying point defects in semiconductors...

Physical Review B 1995 / 4 Vol. 51; Iss. 16

Identifying and quantifying point defects in semiconductors using x-ray-absorption spectroscopy: Si-doped GaAs

Schuppler, S., Adler, D. L., Pfeiffer, L. N., West, K. W., Chaban, E. E., Citrin, P. H.
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Volume:
51
Langue:
english
Journal:
Physical Review B
DOI:
10.1103/PhysRevB.51.10527
Date:
April, 1995
Fichier:
PDF, 671 KB
english, 1995
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