{111} defects in 1-MeV-silicon-ion-implanted silicon

Physical Review B 1995 / 12 Vol. 52; Iss. 24

{111} defects in 1-MeV-silicon-ion-implanted silicon

Chou, C. T., Cockayne, D. J. H., Zou, J., Kringho/j, P., Jagadish, C.
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Volume:
52
Langue:
english
Journal:
Physical Review B
DOI:
10.1103/PhysRevB.52.17223
Date:
December, 1995
Fichier:
PDF, 2.12 MB
english, 1995
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