Manipulation of polarization effect to engineer III-nitride...

Microelectronic Engineering 2015 / 04 Vol. 138

Manipulation of polarization effect to engineer III-nitride HEMTs for normally-off operation

Yao, Yung-Chi, Huang, Chun-Ying, Lin, Tai-Yuan, Cheng, Li-Lien, Liu, Ching-Yun, Wang, Mei-Tan, Hwang, Jung-Min, Lee, Ya-Ju
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Volume:
138
Langue:
english
Journal:
Microelectronic Engineering
DOI:
10.1016/j.mee.2014.11.018
Date:
April, 2015
Fichier:
PDF, 2.12 MB
english, 2015
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