Observation of Ga segregation in the growth of InAs...

Physical Review B 1997 / 4 Vol. 55; Iss. 15

Observation of Ga segregation in the growth of InAs overlayers on GaAs(110) using core-level photoelectron spectroscopy

He, Z. Q., Ilver, L., Kanski, J., Nilsson, P. O., Karlsson, U. O.
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Volume:
55
Langue:
english
Journal:
Physical Review B
DOI:
10.1103/PhysRevB.55.9716
Date:
April, 1997
Fichier:
PDF, 138 KB
english, 1997
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