A 2-D analytical model of SOI high-voltage devices with...

IETE Technical Review 2012 Vol. 29; Iss. 4

A 2-D analytical model of SOI high-voltage devices with dual conduction layers

Hua, Tingting, Guo, Yufeng, Yu, Ying, Sheu, Gene, Xia, Xiaojuan, Zhang, Changchun
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Volume:
29
Année:
2012
Langue:
english
Journal:
IETE Technical Review
DOI:
10.4103/0256-4602.101315
Fichier:
PDF, 1.00 MB
english, 2012
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