Ion-energy effects in silicon ion-beam epitaxy

Physical Review B 1996 / 4 Vol. 53; Iss. 16

Ion-energy effects in silicon ion-beam epitaxy

Rabalais, J. W., Al-Bayati, A. H., Boyd, K. J., Marton, D., Kulik, J., Zhang, Z., Chu, W. K.
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Volume:
53
Langue:
english
Journal:
Physical Review B
DOI:
10.1103/PhysRevB.53.10781
Date:
April, 1996
Fichier:
PDF, 9.58 MB
english, 1996
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