2.5λ microcavity InGaN light-emitting diodes fabricated by...

Applied Physics Letters 2007 Vol. 91; Iss. 6

2.5λ microcavity InGaN light-emitting diodes fabricated by a selective dry-etch thinning process

Choi, Yong-Seok, Iza, Michael, Matioli, Elison, Koblmüller, Gregor, Speck, James S., Weisbuch, Claude, Hu, Evelyn L.
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Volume:
91
Année:
2007
Langue:
english
Journal:
Applied Physics Letters
DOI:
10.1063/1.2769397
Fichier:
PDF, 684 KB
english, 2007
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