The possibility of transmutation doping of silicon by means...

International Journal of Radiation Applications and Instrumentation. Part C. Radiation Physics and Chemistry 1988 Vol. 31; Iss. 1-3

The possibility of transmutation doping of silicon by means of proton irradiation

A. Pavlenco, V. Tokarevsky, Yu. Struk, P. Kurilo, P. Baransky, G. Gaydar
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Volume:
31
Année:
1988
Langue:
english
Pages:
3
DOI:
10.1016/1359-0197(88)90147-6
Fichier:
PDF, 188 KB
english, 1988
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