Activation volume for phosphorus diffusion in silicon and...

Applied Physics Letters 2005 Vol. 86; Iss. 14

Activation volume for phosphorus diffusion in silicon and Si[sub 0.93]Ge[sub 0.07]

Zhao, Yuechao, Aziz, Michael J., Zangenberg, Nikolaj R., Larsen, Arne Nylandsted
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Volume:
86
Année:
2005
Langue:
english
Journal:
Applied Physics Letters
DOI:
10.1063/1.1896445
Fichier:
PDF, 307 KB
english, 2005
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