Theoretical Evaluation of Zirconia and Hafnia as Gate...

Physical Review Letters 2002 / 12 Vol. 89; Iss. 26

Theoretical Evaluation of Zirconia and Hafnia as Gate Oxides for Si Microelectronics

Fiorentini, Vincenzo, Gulleri, Gianluca
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Volume:
89
Langue:
english
Journal:
Physical Review Letters
DOI:
10.1103/PhysRevLett.89.266101
Date:
December, 2002
Fichier:
PDF, 176 KB
english, 2002
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