Glide and multiplication of basal plane dislocations during...

Journal of Applied Physics 2007 Vol. 102; Iss. 9

Glide and multiplication of basal plane dislocations during 4H-SiC homoepitaxy

Zhang, X., Skowronski, M., Liu, K. X., Stahlbush, R. E., Sumakeris, J. J., Paisley, M. J., O’Loughlin, M. J.
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Volume:
102
Année:
2007
Langue:
english
Journal:
Journal of Applied Physics
DOI:
10.1063/1.2809343
Fichier:
PDF, 796 KB
english, 2007
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