Low-temperature epitaxial growth of cerium dioxide layers...

Journal of Applied Physics 1991 Vol. 69; Iss. 12

Low-temperature epitaxial growth of cerium dioxide layers on (111) silicon substrates

Inoue, T., Osonoe, M., Tohda, H., Hiramatsu, M., Yamamoto, Y., Yamanaka, A., Nakayama, T.
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Volume:
69
Année:
1991
Langue:
english
Journal:
Journal of Applied Physics
DOI:
10.1063/1.347442
Fichier:
PDF, 532 KB
english, 1991
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