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[IEEE 2007 65th Annual Device Research Conference - South Bend, IN, USA (2007.06.18-2007.06.20)] 2007 65th Annual Device Research Conference - InGaAs and GaAs/InGaAs Channel Enhancement Mode n-MOSFETs With HfO2 Gate Oxide and a-Si Interface Passivation Layer

Oktyabrsky, Serge, Koveshnikov, Sergei, Tokranov, Vadim, Yakimov, Michael, Kambhampati, Rama, Bakhru, Hassaram, Zhu, Feng, Lee, Jack, Tsai, Wilman
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Année:
2007
Langue:
english
DOI:
10.1109/drc.2007.4373718
Fichier:
PDF, 736 KB
english, 2007
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